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PSMN1R0-100CSFJ Nexperia USA Inc.

Name: PSMN1R0-100CSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 67677634-3
Price: 8030.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V

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Technische Details PSMN1R0-100CSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm.

Weitere Produktangebote PSMN1R0-100CSFJ nach Preis ab 11.7 EUR bis 44.16 EUR

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PSMN1R0-100CSFJ

Nexperia USA Inc.

Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V

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MOSFETs SOT8000 100V 460A

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PSMN1R0-100CSFJ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm

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Nexperia

Trans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP

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NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm

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PSMN1R0-100CSFJ

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V

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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8000 100V 460A

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10+	15.82 EUR
100+	13.2 EUR
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PSMN1R0-100CSFJ

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm

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10+	23.45 EUR
50+	19.55 EUR
100+	18.16 EUR
250+	16.77 EUR

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PSMN1R0-100CSFJ

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP

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PSMN1R0-100CSFJ

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm

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