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PSMN1R0-30YLC,115

PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia

805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN1R0-30YLC,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : Nexperia PSMN1R0_30YLC-2938827.pdf MOSFET PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 272W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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30+2.4 EUR
34+ 2.16 EUR
42+ 1.72 EUR
44+ 1.63 EUR
500+ 1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 30
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 272W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
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Mindestbestellmenge: 30
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
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10+ 4.27 EUR
100+ 3.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Hersteller : NEXPERIA 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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