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PSMN1R0-30YLDX

PSMN1R0-30YLDX Nexperia

psmn1r0-30yld.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN1R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 238W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.5 EUR
50+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 238W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia PSMN1R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
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10+1.53 EUR
100+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
1500+0.84 EUR
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
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9+2.13 EUR
12+1.55 EUR
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 433 Stücke:
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA 1179305395053383psmn1r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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