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PSMN1R0-30YLEX

PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-30YLE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 224W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Nexperia psmn1r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+3.83 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLE.pdf Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.65 EUR
100+2.52 EUR
500+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Nexperia PSMN1R0-30YLE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 275A
auf Bestellung 1764 Stücke:
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1+5.65 EUR
10+3.67 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+2 EUR
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX NEXPERIA 3791080.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX NEXPERIA 3791080.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN1R0-30YLEX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1000+3.31 EUR
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PSMN1R0-30YLEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
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100+2.53 EUR
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PSMN1R0-30YLEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-669
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
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PSMN1R0-30YLEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-669
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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