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PSMN1R0-30YLEX

PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc.

PSMN1R0-30YLE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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3000+1.38 EUR
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Technische Details PSMN1R0-30YLEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 224W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLE.pdf Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
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250+2.18 EUR
500+1.78 EUR
1500+1.56 EUR
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791080.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 224W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN1R0-30YLEX PSMN1R0-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791080.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 224W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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