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PSMN1R0-80CSEJ

PSMN1R0-80CSEJ Nexperia

PSMN1R0-80CSE.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT8005 N-CH 80V 495A
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Technische Details PSMN1R0-80CSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 495A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R0-80CSE.pdf Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
auf Bestellung 790 Stücke:
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2+20.63 EUR
10+14.27 EUR
100+11.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA 4421158.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.87 EUR
50+19.09 EUR
100+17.72 EUR
250+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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PSMN1R0-80CSEJ PSMN1R0-80CSEJ NEXPERIA 4421158.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 495A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.05 EUR
9+28.99 EUR
10+22.87 EUR
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100+17.72 EUR
250+16.34 EUR
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PSMN1R0-80CSEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R0-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95Ohm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36802 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 504 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
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PSMN1R0-80CSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
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10+22.87 EUR
50+19.09 EUR
100+17.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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PSMN1R0-80CSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 495 A, 950 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
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6+43.05 EUR
9+28.99 EUR
10+22.87 EUR
50+19.09 EUR
100+17.72 EUR
250+16.34 EUR
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