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Technische Details PSMN1R1-30PL,127 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 338, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote PSMN1R1-30PL,127 nach Preis ab 3.18 EUR bis 8.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V |
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 338 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 338 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 338 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN1R1-30PL,127 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |