PSMN1R1-80CSFJ Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.8 EUR |
| 10+ | 10.77 EUR |
| 100+ | 9.9 EUR |
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Technische Details PSMN1R1-80CSFJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 385A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN1R1-80CSFJ nach Preis ab 8.7 EUR bis 29.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMN1R1-80CSFJ | Nexperia USA Inc. |
 Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: CCPAK1212i Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R1-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 385A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R1-80CSFJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R1-80CSFJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.36 EUR |
| 10+ | 11.83 EUR |
| 50+ | 9.46 EUR |
| 100+ | 8.7 EUR |
| PSMN1R1-80CSFJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |
| PSMN1R1-80CSFJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 29.79 EUR |
| 11+ | 22.47 EUR |
| 12+ | 17.99 EUR |
| 50+ | 14.4 EUR |
| 100+ | 13.2 EUR |
| 250+ | 12.16 EUR |