auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.84 EUR |
| 10+ | 7.43 EUR |
| 25+ | 7.00 EUR |
| 100+ | 6.00 EUR |
| 250+ | 5.68 EUR |
| 500+ | 5.33 EUR |
| 1000+ | 4.73 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN1R2-55SLHAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 0.00081 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: SOT-123, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00081ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN1R2-55SLHAX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R2-55SLHAX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 0.00081 ohm, SOT-123, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: SOT-123 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00081ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
PSMN1R2-55SLHAX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 0.00081 ohm, SOT-123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: SOT-123 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00081ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| PSMN1R2-55SLHAX | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN1R2-55SLHAX SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
PSMN1R2-55SLHAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
PSMN1R2-55SLHAX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V |
Produkt ist nicht verfügbar |