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PSMN1R2-80CSEJ

PSMN1R2-80CSEJ Nexperia

PSMN1R2-80CSE.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN1R2-80CSE/SOT8005A/CCPAK12
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Technische Details PSMN1R2-80CSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 375A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 935W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm.

Weitere Produktangebote PSMN1R2-80CSEJ nach Preis ab 6.71 EUR bis 24.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSEJ Nexperia USA Inc. PSMN1R2-80CSE.pdf Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26187 pF @ 40 V
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PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSEJ NEXPERIA PSMN1R2-80CSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.64 EUR
15+16.1 EUR
100+10.9 EUR
500+10.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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PSMN1R2-80CSEJ PSMN1R2-80CSEJ NEXPERIA PSMN1R2-80CSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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Description: NEXPERIA - PSMN1R2-80CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 375 A, 1300 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
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