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PSMN1R3-100ASFJ

PSMN1R3-100ASFJ Nexperia

Hersteller: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 1.3 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 package
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Technische Details PSMN1R3-100ASFJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 355A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Hersteller : NEXPERIA PSMN1R3-100ASF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Hersteller : NEXPERIA PSMN1R3-100ASF.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
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PSMN1R3-100ASFJ PSMN1R3-100ASFJ Hersteller : Nexperia psmn1r3-100asf.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK
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