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Technische Details PSMN1R3-100ASFJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 355A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN1R3-100ASFJ nach Preis ab 7.09 EUR bis 14.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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PSMN1R3-100ASFJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V |
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PSMN1R3-100ASFJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 355A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212 Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PSMN1R3-100ASFJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R3-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 355 A, 0.0013 ohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R3-100ASFJ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 355A 12-Pin CCPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN1R3-100ASFJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 100 V, 1.3 MOHM, N-CHA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 248 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17737 pF @ 50 V |
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