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PSMN1R4-100CSEJ

PSMN1R4-100CSEJ Nexperia

PSMN1R4-100CSE.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel, 100 V, 1.42 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package
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Technische Details PSMN1R4-100CSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R4-100CSEJ PSMN1R4-100CSEJ NEXPERIA PSMN1R4-100CSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PSMN1R4-100CSEJ PSMN1R4-100CSEJ NEXPERIA PSMN1R4-100CSE.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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