PSMN1R4-100CSEJ Nexperia
Hersteller: NexperiaMOSFETs N-channel, 100 V, 1.42 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 11.77 EUR |
| 10+ | 8.32 EUR |
| 100+ | 6.93 EUR |
| 500+ | 6.42 EUR |
| 1000+ | 5.44 EUR |
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Technische Details PSMN1R4-100CSEJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN1R4-100CSEJ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PSMN1R4-100CSEJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 340 A, 1420 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 935W Bauform - Transistor: CCPAK1212i Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1420µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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PSMN1R4-100CSEJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN1R4-100CSEJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL, 100 V, 1.42 MOHM, MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 935W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: CCPAK1212i Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 366 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26023 pF @ 50 V |
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