PSMN1R4-40YLDX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
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Technische Details PSMN1R4-40YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 238W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm.
Weitere Produktangebote PSMN1R4-40YLDX nach Preis ab 1 EUR bis 3.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PSMN1R4-40YLDX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R4-40YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R4-40YLDX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A |
auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R4-40YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 238W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN1R4-40YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN1R4-40YLDX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 202+ | 2.72 EUR |
| 500+ | 2.41 EUR |
| 1000+ | 2.18 EUR |
| PSMN1R4-40YLDX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6661 pF @ 20 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.4 EUR |
| 10+ | 2.17 EUR |
| 100+ | 1.47 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| PSMN1R4-40YLDX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.5 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.1 EUR |
| 1500+ | 1 EUR |
| PSMN1R4-40YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Bauform - Transistor: SOT-669
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN1R4-40YLDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1120 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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