PSMN1R5-25MLHX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1500+ | 2.03 EUR |
| 3000+ | 1.89 EUR |
| 7500+ | 1.8 EUR |
| 10500+ | 1.73 EUR |
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Technische Details PSMN1R5-25MLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 106W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm.
Weitere Produktangebote PSMN1R5-25MLHX nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMN1R5-25MLHX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN1R5-25MLH/SOT1210/mLFPAK |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PSMN1R5-25MLHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V |
auf Bestellung 49482 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PSMN1R5-25MLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm |
auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R5-25MLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm |
auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |