| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 212+ | 3.12 EUR |
| 500+ | 2.77 EUR |
| 1000+ | 2.5 EUR |
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Technische Details PSMN1R6-25YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN1R6-25YLEX nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMN1R6-25YLEX | Nexperia |
 MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A |
auf Bestellung 1612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R6-25YLEX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R6-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN1R6-25YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN1R6-25YLEX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 185A
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.02 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 1500+ | 1.12 EUR |
| PSMN1R6-25YLEX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.86 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| PSMN1R6-25YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN1R6-25YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 185A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)