Produkte > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R7-60BS,118
PSMN1R7-60BS,118

PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-60BS.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 306W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm.

Weitere Produktangebote PSMN1R7-60BS,118 nach Preis ab 2.87 EUR bis 13.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.82 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.97 EUR
20+4.27 EUR
22+3.93 EUR
25+3.8 EUR
50+3.56 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia PSMN1R7-60BS.pdf MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+5.24 EUR
100+3.92 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.92 EUR
10+5.89 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.59 EUR
27+8.6 EUR
100+5.51 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+4.82 EUR
100+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.97 EUR
20+4.27 EUR
22+3.93 EUR
25+3.8 EUR
50+3.56 EUR
100+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8 EUR
10+5.24 EUR
100+3.92 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.92 EUR
10+5.89 EUR
100+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-60BS,118 NEXP-S-A0003059790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R7-60BS,118
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.59 EUR
27+8.6 EUR
100+5.51 EUR
500+4.65 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH