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Technische Details PSMN2R0-100SSFJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN2R0-100SSFJ nach Preis ab 3.87 EUR bis 15.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : Nexperia |
 MOSFETs SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 2184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 267A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : NEXPERIA |
Next Power 100 V, 2 m Ohm, 259 Amp, N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R0-100SSFJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V |
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