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PSMN2R0-100SSFJ

PSMN2R0-100SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-100SSF.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details PSMN2R0-100SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 267A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN2R0-100SSFJ PSMN2R0-100SSFJ NEXPERIA 3917588.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.03 EUR
250+7.88 EUR
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PSMN2R0-100SSFJ PSMN2R0-100SSFJ Nexperia PSMN2R0-100SSF.pdf MOSFETs PSMN2R0-100SSF/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 1409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.98 EUR
10+6.37 EUR
100+5.82 EUR
500+5.4 EUR
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PSMN2R0-100SSFJ PSMN2R0-100SSFJ Nexperia USA Inc. PSMN2R0-100SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.17 EUR
10+8.18 EUR
50+6.45 EUR
100+5.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN2R0-100SSFJ PSMN2R0-100SSFJ NEXPERIA 3917588.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1610 Stücke:
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20+12.88 EUR
22+10.92 EUR
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PSMN2R0-100SSFJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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MOSFETs PSMN2R0-100SSF/SOT1235/LFPAK88
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PSMN2R0-100SSFJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+12.17 EUR
10+8.18 EUR
50+6.45 EUR
100+5.9 EUR
500+5.5 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
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auf Bestellung 1610 Stücke:
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20+12.88 EUR
22+10.92 EUR
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50+8.59 EUR
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