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PSMN2R0-25YLDX

PSMN2R0-25YLDX Nexperia

psmn2r0-25yld.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN2R0-25YLDX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-25YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
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PSMN2R0-25YLDX PSMN2R0-25YLDX Hersteller : Nexperia PSMN2R0-25YLD.pdf MOSFETs PSMN2R0-25YLD/SOT669/LFPAK
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
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PSMN2R0-25YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN2R0-25YLD.pdf PSMN2R0-25YLDX SMD N channel transistors
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