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Technische Details PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN2R0-30YLE,115 nach Preis ab 0.88 EUR bis 1.94 EUR
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC On-state resistance: 3.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 238W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1015A Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 87nC On-state resistance: 3.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 238W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1015A Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1512 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-30YLE,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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