PSMN2R1-30YLEX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
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Technische Details PSMN2R1-30YLEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 124W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm.
Weitere Produktangebote PSMN2R1-30YLEX nach Preis ab 1.02 EUR bis 6.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN2R1-30YLEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R1-30YLEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R1-30YLEX | Nexperia |
MOSFETs PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R1-30YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 124W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 212+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 212+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.75 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.02 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 1500+ | 1.14 EUR |
| 3000+ | 1.02 EUR |
| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 160A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 36+ | 6.95 EUR |
| 56+ | 4.18 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
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