| Anzahl | Privatkunde |
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| 212+ | 3.12 EUR |
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Technische Details PSMN2R1-30YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN2R1-30YLEX nach Preis ab 1.12 EUR bis 4.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMN2R1-30YLEX | Nexperia |
 MOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A |
auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R1-30YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN2R1-30YLEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.02 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| 1500+ | 1.12 EUR |
| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| PSMN2R1-30YLEX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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