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PSMN2R2-30YLC,115

PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V, Verlustleistung: 141W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
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1500+0.87 EUR
4500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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329+1.96 EUR
500+1.74 EUR
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia PSMN2R2-30YLC.pdf MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
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2+2.84 EUR
10+1.8 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.81 EUR
1500+0.75 EUR
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 10891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
Verlustleistung: 141W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
121+1.77 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
Verlustleistung: 141W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
75+3.11 EUR
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1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.69 EUR
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PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.87 EUR
4500+0.77 EUR
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PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+1.96 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
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MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1458 Stücke:
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10+1.8 EUR
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500+0.94 EUR
1000+0.81 EUR
1500+0.75 EUR
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PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
auf Bestellung 10891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.06 EUR
11+1.94 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
Verlustleistung: 141W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.11 EUR
121+1.77 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN2R2-30YLC,115 NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R2-30YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
Verlustleistung: 141W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.2 EUR
75+3.11 EUR
121+1.77 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH