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PSMN2R2-30YLC,115

PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V, Verlustleistung: 141W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
Verlustleistung: 141W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
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Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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121+1.77 EUR
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