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Technische Details PSMN2R8-40YSBX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN2R8-40YSBX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, PowerSO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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| PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V |
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PSMN2R8-40YSBX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V |
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