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PSMN2R8-40YSBX

PSMN2R8-40YSBX NEXPERIA

4160622.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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Technische Details PSMN2R8-40YSBX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 147W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Weitere Produktangebote PSMN2R8-40YSBX nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSBX NEXPERIA 4160622.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSBX Nexperia PSMN2R8-40YSB.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
auf Bestellung 1906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.7 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
1500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSBX Nexperia USA Inc. PSMN2R8-40YSB.pdf Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.84 EUR
12+1.81 EUR
100+1.2 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBX NEXPERIA 4160622.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
118+1.98 EUR
139+1.55 EUR
200+1.26 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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PSMN2R8-40YSBX NEXPERIA 4160622.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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100+3.27 EUR
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PSMN2R8-40YSBX 4160622.pdf
PSMN2R8-40YSBX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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PSMN2R8-40YSBX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
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AnzahlPrivatkunde
2+2.7 EUR
10+1.7 EUR
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PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSB.pdf
PSMN2R8-40YSBX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
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Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
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Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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12+1.81 EUR
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500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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PSMN2R8-40YSBX 4160622.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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AnzahlPrivatkunde
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118+1.98 EUR
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500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN2R8-40YSBX 4160622.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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