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PSMN3R5-80YSFX

PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.


PSMN3R5-80YSF.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 1500
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Technische Details PSMN3R5-80YSFX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 294W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN3R5-80YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7227 pF @ 40 V
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.76 EUR
10+3.99 EUR
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500+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : Nexperia PSMN3R5-80YSF.pdf MOSFETs PSMN3R5-80YSF/SOT1023/4 LEADS
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1+6.11 EUR
10+4.12 EUR
100+2.90 EUR
500+2.39 EUR
1500+2.13 EUR
3000+2.11 EUR
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : NEXPERIA 3540392.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : NEXPERIA 3540392.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R5-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0028 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 294W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : NEXPERIA psmn3r5-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
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PSMN3R5-80YSFX PSMN3R5-80YSFX Hersteller : Nexperia psmn3r5-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN3R5-80YSFX Hersteller : NEXPERIA PSMN3R5-80YSF.pdf PSMN3R5-80YSFX SMD N channel transistors
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