Produkte > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R7-100BSEJ
PSMN3R7-100BSEJ

PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN3R7-100BSE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.76 EUR
2400+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 800 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 405W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Weitere Produktangebote PSMN3R7-100BSEJ nach Preis ab 3 EUR bis 12.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+4.87 EUR
43+4.15 EUR
100+3.5 EUR
500+3.12 EUR
800+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.08 EUR
30+5.88 EUR
100+4.07 EUR
500+3.84 EUR
800+3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia psmn3r7-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.08 EUR
30+6.01 EUR
100+4.22 EUR
500+4.06 EUR
800+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN3R7-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 18993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.01 EUR
10+6.65 EUR
50+5.21 EUR
100+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSEJ NEXPERIA 2648646.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
30+7.91 EUR
100+5.84 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+4.87 EUR
43+4.15 EUR
100+3.5 EUR
500+3.12 EUR
800+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.08 EUR
30+5.88 EUR
100+4.07 EUR
500+3.84 EUR
800+3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ psmn3r7-100bse.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.08 EUR
30+6.01 EUR
100+4.22 EUR
500+4.06 EUR
800+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ PSMN3R7-100BSE.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.95mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16370 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
auf Bestellung 18993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.01 EUR
10+6.65 EUR
50+5.21 EUR
100+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN3R7-100BSEJ 2648646.pdf
PSMN3R7-100BSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R7-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3360 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.66V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3360µohm
auf Bestellung 1420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+12.22 EUR
30+7.91 EUR
100+5.84 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH