Produkte > NEXPERIA > PSMN4R0-30YLDX
PSMN4R0-30YLDX

PSMN4R0-30YLDX Nexperia

3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN4R0-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote PSMN4R0-30YLDX nach Preis ab 0.30 EUR bis 0.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.33 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 40500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.44 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 15 V
auf Bestellung 41865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+0.77 EUR
24+0.76 EUR
100+0.58 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia PSMN4R0-30YLD.pdf MOSFETs PSMN4R0-30YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 22087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
100+0.59 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
24000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA 2575349.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX Hersteller : Nexperia 3006823190438648psmn4r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 95A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R0-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 378A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH