PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.51 EUR |
| 4500+ | 1.36 EUR |
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Technische Details PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 85W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 85W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote PSMN4R2-40VSHX nach Preis ab 1.52 EUR bis 7.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN4R2-40VSHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 85W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 85W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R2-40VSHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 85W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN4R2-40VSHX | Nexperia |
MOSFETs PSMN4R2-40VSH/SOT1205/LFPAK56D |
auf Bestellung 4161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN4R2-40VSHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 85W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 85W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN4R2-40VSHX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
| PSMN4R2-40VSHX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 85W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.86 EUR |
| 10+ | 3.13 EUR |
| 50+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| PSMN4R2-40VSHX |
|
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN4R2-40VSH/SOT1205/LFPAK56D
MOSFETs PSMN4R2-40VSH/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 4161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.88 EUR |
| 10+ | 2.4 EUR |
| 100+ | 2.15 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| PSMN4R2-40VSHX |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 98A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-40VSHX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 98 A, 98 A, 0.0042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 98A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 85W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 85W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.2 EUR |
| 54+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |