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PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA


PSMN4R2-80YSE.pdf Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
auf Bestellung 1498 Stücke:

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Technische Details PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA

Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V.

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PSMN4R2-80YSEX
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PSMN4R2-80YSEX Hersteller : NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 294W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 698A
Drain current: 123A
Drain-source voltage: 80V
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Hersteller : Nexperia psmn4r2-80yse.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R2-80YSE.pdf Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Hersteller : Nexperia psmn4r2-80yse.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 170A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Hersteller : Nexperia PSMN4R2-80YSE.pdf MOSFETs SOT1023 N-CH 80V 170A
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PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R2-80YSE.pdf Description: PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 40 V
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