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PSMN4R5-40BS,118

PSMN4R5-40BS,118 Nexperia


3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details PSMN4R5-40BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00379 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00379ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN4R5-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V
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10+2.07 EUR
100+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : Nexperia PSMN4R5-40BS.pdf MOSFETs NextPower 80 V, 4.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56
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10+2.18 EUR
100+1.61 EUR
250+1.59 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00379 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00379ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : NEXPERIA 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : Nexperia 3014123373946058psmn4r5-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 96A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN4R5-40BS,118 Hersteller : NEXPERIA PSMN4R5-40BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 96A; Idm: 545A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 545A
Power dissipation: 148W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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