auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 1.03 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN4R5-40BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN4R5-40BS,118 nach Preis ab 1.21 EUR bis 4.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT404 N-CH 40V 100A |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2683 pF @ 20 V |
auf Bestellung 2267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R5-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3790 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3790µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN4R5-40BS,118 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |