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Technische Details PSMN4R6-60BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 211W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm.
Weitere Produktangebote PSMN4R6-60BS,118 nach Preis ab 1.17 EUR bis 4.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 565A Power dissipation: 211W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 45788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia |
MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 3570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 211W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm |
auf Bestellung 2284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3200+ | 1.58 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 1.92 EUR |
| 100+ | 1.53 EUR |
| 250+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 1.92 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 2.92 EUR |
| 33+ | 2.19 EUR |
| 37+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 180+ | 3.05 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| 10000+ | 2.43 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 2.96 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
MOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 800+ | 1.49 EUR |
| PSMN4R6-60BS,118 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
Description: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
auf Bestellung 2284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)