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PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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40+4.36 EUR
45+3.61 EUR
100+3.08 EUR
250+2.84 EUR
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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250+3.08 EUR
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia 4374885938151119psmn4r8-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0003060200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 1819 Stücke:
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3+10.16 EUR
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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ Nexperia PSMN4R8-100BSE.pdf MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
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800+3.38 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
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PSMN4R8-100BSEJ
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 392 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN4R8-100BSEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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800+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.36 EUR
45+3.61 EUR
100+3.08 EUR
250+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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45+3.74 EUR
100+3.25 EUR
250+3.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
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39+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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50+5.27 EUR
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MOSFETs TO263 100V 120A N-CH MOSFET
auf Bestellung 71 Stücke:
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1+10.33 EUR
10+6.76 EUR
100+4.44 EUR
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