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PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details PSMN4R8-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0003060200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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45+3.56 EUR
100+3.05 EUR
250+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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