PSMN5R0-30YL,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
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Technische Details PSMN5R0-30YL,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 61W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm.
Weitere Produktangebote PSMN5R0-30YL,115 nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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PSMN5R0-30YL,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 91A |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R0-30YL,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 61W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm |
auf Bestellung 1070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN5R0-30YL,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 91A
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 91A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.13 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| PSMN5R0-30YL,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)