PSMN5R5-100YSFX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V
auf Bestellung 1123 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.87 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| 100+ | 2.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN5R5-100YSFX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 0.0045 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN5R5-100YSFX nach Preis ab 1.39 EUR bis 4.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 2619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 0.0045 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 115 A, 0.0045 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : NEXPERIA |
Next Power 100 V, 5.5 mOhm N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 115A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN5R5-100YSFX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6238 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |