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Technische Details PSMN5R8-40YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN5R8-40YS,115 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V |
auf Bestellung 8735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 32665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0044 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN5R8-40YS.115 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN5R8-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |