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PSMN5R8-40YS,115 транзистор

Produktcode: 215646
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
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1500+0.78 EUR
3000+0.72 EUR
4500+0.69 EUR
7500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : Nexperia 4380896056678682psmn5r8-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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281+1.91 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.47 EUR
10000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 281
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1703 pF @ 20 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+2.64 EUR
11+1.68 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : Nexperia PSMN5R8-40YS.pdf MOSFETs PSMN5R8-40YS/SOT669/LFPAK
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1+3.15 EUR
10+2.01 EUR
50+1.5 EUR
100+1.33 EUR
1500+0.91 EUR
3000+0.84 EUR
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R8-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 90A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : NEXPERIA 4380896056678682psmn5r8-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN5R8-40YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN5R8-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; Idm: 360A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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