PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.79 EUR |
| 1600+ | 1.75 EUR |
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Technische Details PSMN6R5-80BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN6R5-80BS,118 nach Preis ab 1.75 EUR bis 5.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN6R5-80BS/SOT404/D2PAK |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V |
auf Bestellung 3836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PSMN6R5-80BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN6R5-80BS.118 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |