PSMN6R8-40HSX NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |
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Technische Details PSMN6R8-40HSX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 64W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 64W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN6R8-40HSX nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN6R8-40HSX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 64W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 1551 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN6R8-40HSX | Nexperia |
MOSFETs PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN6R8-40HSX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1424 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN6R8-40HSX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.14 EUR |
| 10+ | 2.61 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| PSMN6R8-40HSX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D
MOSFETs PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.66 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| PSMN6R8-40HSX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.62 EUR |
| 68+ | 3.46 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.65 EUR |