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PSMN7R0-60YS,115

PSMN7R0-60YS,115 Nexperia

3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN7R0-60YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia 3892324372955954psmn7r0-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 89A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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48+1.52 EUR
52+1.40 EUR
59+1.22 EUR
63+1.14 EUR
500+1.13 EUR
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN7R0-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2712 pF @ 30 V
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : Nexperia PSMN7R0-60YS.pdf MOSFETs PSMN7R0-60YS/SOT669/LFPAK
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.00495 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00495ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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