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PSMN7R6-100BSEJ

PSMN7R6-100BSEJ Nexperia

4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details PSMN7R6-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 296W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
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2400+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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1600+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
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10+5.03 EUR
50+3.9 EUR
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ Nexperia PSMN7R6-100BSE.pdf MOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
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100+3.56 EUR
500+2.78 EUR
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSEJ NEXPERIA NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3801 Stücke:
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19+13.57 EUR
27+8.6 EUR
100+5.51 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.76 EUR
2400+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ 4374650748091779psmn7r6-100bse.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1600+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.51 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 296W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V
auf Bestellung 2840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.66 EUR
10+5.03 EUR
50+3.9 EUR
100+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ PSMN7R6-100BSE.pdf
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 1678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.69 EUR
10+5.07 EUR
100+3.56 EUR
500+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R6-100BSEJ NEXP-S-A0001056790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-100BSEJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 6500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 296W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 3801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+13.57 EUR
27+8.6 EUR
100+5.51 EUR
500+4.71 EUR
1000+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH