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Technische Details PSMN7R6-60BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 149W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMN7R6-60BS,118 nach Preis ab 1.6 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V |
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 149W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 149W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1993 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R6-60BS,118 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 389A; 149W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A Pulsed drain current: 389A Power dissipation: 149W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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