PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details PSMN7R6-60PS,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 0.0059 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 149W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm.
Weitere Produktangebote PSMN7R6-60PS,127
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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PSMN7R6-60PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 92A; Idm: 389A; 149W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 92A Pulsed drain current: 389A Power dissipation: 149W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R6-60PS,127 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R6-60PS,127 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN7R6-60PS/SOT78/SIL3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN7R6-60PS,127 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 92A; Idm: 389A; 149W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 92A Pulsed drain current: 389A Power dissipation: 149W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 38.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |