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PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
44+1.66 EUR
56+1.30 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia PSMN8R2-80YS.pdf MOSFETs PSMN8R2-80YS/SOT669/LFPAK
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2+2.22 EUR
10+1.57 EUR
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500+1.04 EUR
1000+1.01 EUR
1500+0.95 EUR
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
auf Bestellung 16712 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 8
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1228 Stücke:
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0058 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Hersteller : NEXPERIA 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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