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PSMN8R2-80YS,115

PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN8R2-80YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2062 Stücke:
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180+0.98 EUR
310+0.55 EUR
315+0.51 EUR
320+0.49 EUR
325+0.46 EUR
330+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1500+1.04 EUR
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia 4375106440192149psmn8r2-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.21 EUR
43+1.99 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
250+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
200+2.46 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN8R2-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
auf Bestellung 3572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 Nexperia PSMN8R2-80YS.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
auf Bestellung 13281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+2.26 EUR
100+2.01 EUR
1500+1.62 EUR
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PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
55+4.3 EUR
64+3.38 EUR
200+2.46 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
180+0.98 EUR
310+0.55 EUR
315+0.51 EUR
320+0.49 EUR
325+0.46 EUR
330+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.21 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+2.21 EUR
43+1.99 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
250+1.39 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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PSMN8R2-80YS,115 NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
200+2.46 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 40 V
auf Bestellung 3572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 80V 82A
auf Bestellung 13281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.66 EUR
10+2.26 EUR
100+2.01 EUR
1500+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R2-80YS,115 NEXP-S-A0003059570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R2-80YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R2-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 8500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.15 EUR
55+4.3 EUR
64+3.38 EUR
200+2.46 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH