Produkte > NEXPERIA > PSMN8R5-100PSQ
PSMN8R5-100PSQ

PSMN8R5-100PSQ Nexperia


PSMN8R5_100PS-2939112.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN8R5-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
10+3.8 EUR
50+3.59 EUR
100+3.08 EUR
250+2.9 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN8R5-100PSQ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote PSMN8R5-100PSQ nach Preis ab 2.45 EUR bis 4.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PSQ Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100PS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.73 EUR
10+3.97 EUR
100+3.21 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PSQ Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PSQ Hersteller : NEXPERIA 3008606322074177psmn8r5-100ps.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN8R5-100PSQ Hersteller : NEXPERIA PSMN8R5-100PS.pdf PSMN8R5-100PSQ THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH