PSMN8R5-40HSX Nexperia
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1500+ | 0.84 EUR |
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Technische Details PSMN8R5-40HSX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN8R5-40HSX nach Preis ab 1.57 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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PSMN8R5-40HSX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN8R5-40HSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN8R5-40HSX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.007 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN8R5-40HSX | Hersteller : Nexperia |
PSMN8R5-40HSX |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN8R5-40HSX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 53W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1439pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D |
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