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PSMN8R9-100BSEJ

PSMN8R9-100BSEJ Nexperia

PSMN8R9-100BSE.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT404 100V 75A
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Technische Details PSMN8R9-100BSEJ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 296W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 296W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSEJ Hersteller : NEXPERIA 3175812.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN8R9-100BSEJ PSMN8R9-100BSEJ Hersteller : NEXPERIA 3175812.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R9-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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