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PSMNR67-30YLEX

PSMNR67-30YLEX Nexperia

PSMNR67-30YLE.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
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Technische Details PSMNR67-30YLEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMNR67-30YLE.pdf Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
auf Bestellung 2894 Stücke:
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Anzahl Preis
4+4.52 EUR
10+3.82 EUR
100+2.96 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791086.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791086.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA psmnr67-30yle.pdf N-Channel MOSFET 30 V, 0.68 mOhm
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA PSMNR67-30YLEX.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMNR67-30YLE.pdf Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA PSMNR67-30YLEX.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 361A; Idm: 2.07kA; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 361A
Pulsed drain current: 2.07kA
Power dissipation: 333W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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