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PSMNR67-30YLEX

PSMNR67-30YLEX Nexperia

PSMNR67_30YLE-3051877.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
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Technische Details PSMNR67-30YLEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791086.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1470 Stücke:
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA 3791086.pdf Description: NEXPERIA - PSMNR67-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 365 A, 640 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Bauform - Transistor: SOT-1023
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Produktpalette: PW Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA psmnr67-30yle.pdf N-Channel MOSFET 30 V, 0.68 mOhm
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PSMNR67-30YLEX Hersteller : NEXPERIA PSMNR67-30YLE.pdf PSMNR67-30YLEX SMD N channel transistors
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMNR67-30YLE.pdf Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
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PSMNR67-30YLEX PSMNR67-30YLEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMNR67-30YLE.pdf Description: PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12417 pF @ 15 V
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