PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.69 EUR |
| 10+ | 4.40 EUR |
| 100+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
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Technische Details PSMNR82-30YLEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMNR82-30YLEX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PSMNR82-30YLEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR82-30YLEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR82-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 330 A, 730 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 268W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMNR82-30YLEX | Hersteller : NEXPERIA |
N-Channel MOSFET 30 V, 0.82 mOhm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMNR82-30YLEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 268W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10131 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMNR82-30YLEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |