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Technische Details PSMNR89-25YLEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 224W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PSMNR89-25YLEX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMNR89-25YLEX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 224W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR89-25YLEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMNR89-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 224W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMNR89-25YLEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMNR89-25YLEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7452 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 224W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |