PSMP061-60YEX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 12+ | 2.24 EUR |
| 14+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
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Technische Details PSMP061-60YEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.
Weitere Produktangebote PSMP061-60YEX nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PSMP061-60YEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 3711 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PSMP061-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMP061-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMP061-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: Y-EX productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 98951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMP061-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMP061-60YEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 98951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMP061-60YEX транзистор Produktcode: 196773 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMP061-60YEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMP061-60YEX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMP061-60YEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMP061-60YE/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V |
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