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PUMD13,115

PUMD13,115 Nexperia

pemd13_pumd13.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD13,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD13 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : Nexperia pemd13_pumd13.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD13_PUMD13.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1838 Stücke:
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Anzahl Preis
275+0.26 EUR
455+0.16 EUR
573+0.12 EUR
1629+0.04 EUR
1725+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD13_PUMD13.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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79+0.22 EUR
127+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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PUMD13.115
Produktcode: 169325
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : Nexperia PUMD13.pdf Digital Transistors PUMD13/SOT363/SC-88
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1000+0.08 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : NEXPERIA 1723187.pdf Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 685 Stücke:
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : NEXPERIA 1723187.pdf Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PUMD13,115 PUMD13,115 Hersteller : NEXPERIA 182946854044557pemd13_pumd13.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_.pdfcidbrand_nxpd.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
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PUMD13,115 Hersteller : NXP PUMD13.pdf NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD13,115 NXP TPUMD13
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
300+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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