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PUMD9,115

PUMD9,115 Nexperia

pemd9_pumd9.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD9,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5115 Stücke:
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
699+0.10 EUR
892+0.08 EUR
979+0.07 EUR
2058+0.04 EUR
2174+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia PUMD9.pdf Digital Transistors PUMD9/SOT363/SC-88
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9+0.32 EUR
15+0.20 EUR
100+0.10 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
99000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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48+0.37 EUR
79+0.22 EUR
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500+0.10 EUR
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3892 Stücke:
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PUMD9,115 PUMD9,115
Produktcode: 81511
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PUMD9,115 Hersteller : NXP PUMD9.pdf NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD9,115 NXP TPUMD9
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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