PXN2R9-100RSJ Nexperia
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Technische Details PXN2R9-100RSJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXN2R9-100RSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2900 µohm, MLPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 181W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Weitere Produktangebote PXN2R9-100RSJ nach Preis ab 4.05 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PXN2R9-100RSJ | Nexperia USA Inc. |
 Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56 |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PXN2R9-100RSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN2R9-100RSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2900 µohm, MLPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 181W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: MLPAK56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
auf Bestellung 5475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PXN2R9-100RSJ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.7 EUR |
| PXN2R9-100RSJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN2R9-100RSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2900 µohm, MLPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: NEXPERIA - PXN2R9-100RSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2900 µohm, MLPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 35+ | 7.22 EUR |
| 39+ | 6.06 EUR |
| 100+ | 5.01 EUR |
| 500+ | 4.41 EUR |
| 1000+ | 4.05 EUR |